| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种FET(场效应晶体管)具有包括Al<SUB>0.2</SUB>Ga<SUB>0.8</SUB>As栅接触层的外延晶片。通过外延生长，在栅接触层上依次形成掺杂有Si的GaAs栅掩埋层、掺杂有Si的Al<SUB>0.2</SUB>Ga<SUB>0.8</SUB>As宽凹槽停止层、未掺杂的GaAs层和掺杂有Si的GaAs帽盖层。电子累积层形成于未掺杂的GaAs层上，降低了势垒。从而可以使电子以高几率通过AlGaAs层的势垒。由于GaAs层未掺杂有杂质，所以电子几乎不散射，实现了高迁移率。因此，可以减小从帽盖层到沟道层的接触电阻。此外，由于栅接触层未暴露于外部，所以薄层电阻稍有增大。得到了低到1.4Ω·mm的导通电阻，该值比常规导通电阻小0.2Ω·mm。 | ||
| 申请公布号 | CN1160796C | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN99103447.3 | 申请日期 | 1999.03.05 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 尾藤康则;岩田直高 |
| 分类号 | H01L29/772 | 主分类号 | H01L29/772 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳 |
| 主权项 | 1、一种利用半导体晶体的场效应晶体管，至少包括未掺杂的InGaAs沟道层或未掺杂的GaAs沟道层，及依次形成于所说未掺杂的InGaAs沟道层或所说未掺杂的GaAs沟道层上的第一AlGaAs栅接触层、第二GaAs栅掩埋层、第三AlGaAs层和第四GaAs帽盖层，并具有利用所说第一和第三AlGaAs层作腐蚀停止层形成的双凹槽结构，其特征在于所说第三AlGaAs层掺杂有高浓度的n型杂质，第四GaAs层包括与所说第三AlGaAs层接触的未掺层和掺杂有高浓度的n型杂质且构成所说第四GaAs层的上部的层，所说第二GaAs栅掩埋层和栅极彼此接触，其间没有任何间隙。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||