| 发明名称 | 等离子体处理装置及聚焦环 | ||
| 摘要 | 本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)之间且位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)下侧那样配置。 | ||
| 申请公布号 | CN1518073A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN200410000316.7 | 申请日期 | 2004.01.07 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 远藤升佐;桧森慎司 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：等离子体处理室、配置在所述等离子体处理室内并搭载被处理基板的载置台、按照从所述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围所述被处理基板的周围那样配置的环部件、以及按照位于所述被处理基板以及所述环部件的下侧那样配置的下侧环部件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||