防止多晶微米级功能部件之间桥接的方法

摘要

一种防止或者至少降低相邻微米级多晶结构之间的桥接(20)的可能性，尤其是减少微电路的相邻喷涂金属导线之间的短路的方法。该方法一般需要形成包含一层多晶层(12)和至少一层约束层(14)的多层结构，随后对多层结构加工图案，形成第一线路(16)和宽度小于第一线路的第二线路(18)。第一线路具有与第二线路的图案边缘(26)间隔一定距离的图案边缘(24)，以致第一和第二线路彼此电绝缘。然后形成一个或多个与第一线路相连的功能部件，如果后来沿第一线路的图案边缘发生过度横向晶粒生长，则所述功能部件防止第一和第二线路之间的桥接。

主权项

1、一种包括下述步骤的方法：在衬底上形成包括一层多晶层和至少一层约束层的多层结构；和对多层结构加工图案，形成第一结构和宽度小于第一结构的第二结构，第一结构具有与第二结构的图案边缘间隔一定距离的图案边缘；其中加工图案步骤产生防止第二结构的图案边缘和沿着第一结构的图案边缘从多晶层向第二结构横向生长的晶粒之间的接触的装置，所述装置至少选自下述之一：对多层结构加工图案，在第一结构和第二结构之间形成与它们间隔一定距离的虚设结构；在第一结构的图案边缘附近形成小孔；使第一结构图案边缘形成齿状，所述齿状物伸向第二结构，并且与图案边缘的在齿状物之间的其余部分相比更接近于第二结构；使第一结构图案边缘形成阶梯状，使第一结构在图案边缘的相对端部具有隅角区，隅角区与图案边缘的在隅角之间的其余部分相比更接近于第二结构。