| 发明名称 | 分接微分信号的电路的设计、布局和制造方法 | ||
| 摘要 | 一种装置，包括第一导电带，该第一导电带在其还作为第一分接电容的第一电极之处具有变窄的宽度。第一分接电容具有第二电极，该第二电极：1)平行于第一导电带；2)与第二导电带相比更接近第一导电带。第二导电带平行于第一导电带并且在其还作第二分接电容的第一电极之处具有变窄的宽度。第二分接电容具有第二电极，该第二电极：1)平行于第二导电带；2)与第一导电带相比更接近第二导电带。 | ||
| 申请公布号 | CN1518223A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN200310115713.4 | 申请日期 | 2003.11.24 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 阿洛科·特里帕蒂;丹尼斯·J·米勒 |
| 分类号 | H03K19/00;G06F7/64 | 主分类号 | H03K19/00 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：a)第一导电带，所述第一导电带在其还作为第一分接电容的第一电极之处具有变窄的宽度，所述第一分接电容具有平行于所述第一导电带的第二电极；以及b)第二导电带，所述第二导电带平行于所述第一导电带，所述第二导电带在其还作为第二分接电容的第一电极之处具有变窄的宽度，所述第二分接电容具有第二电极，该第二电极：1)平行于所述第二导电带，并且2)与所述第一导电带相比更接近所述第二导电带，其中，与所述第二导电带相比，所述第一分接电容的所述第二电极更接近所述第一导电带。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||