发明名称 |
Si基Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB>铁电薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开的Si基Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB>铁电薄膜的制备方法,采用钛酸丁酯,冰醋酸,硝酸铋,乙酰丙酮配制Bi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>3</SUB>O<SUB>12</SUB>溶胶,其配比为:(a)钛酸丁酯与硝酸铋的摩尔比为3.00∶4.20-4.40;(b)冰醋酸、乙酰丙酮和钛酸丁酯的体积百分比分别为10-80%∶10-80%∶10%;选用(100)晶向p型单晶Si基片作为衬底,将溶胶滴到衬底上,再进行匀胶,形成湿薄膜,再进行烘干处理后进行退火处理;重复进行匀胶、烘干处理和退火热处理,直至形成所需厚度的BIT铁电薄膜。本发明方法制备的铁电薄膜可用于存储器制作。该铁电薄膜在结构、铁电与介电等方面具有较好的综合性能。在具体实施方式部分将从几个方面对本发明的技术效果作具体分析。 |
申请公布号 |
CN1160806C |
申请公布日期 |
2004.08.04 |
申请号 |
CN01138333.X |
申请日期 |
2001.12.20 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
于军;王华;王耘波;周文利;谢基凡 |
分类号 |
H01L41/24 |
主分类号 |
H01L41/24 |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 |
代理人 |
方放 |
主权项 |
1.一种Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备方法,其特征在于:该方法包括依次进行的下述步骤:(1)选用电阻率<10Ω·cm、(100)晶向p型单晶Si基片作为衬底,并按照半导体平面工艺要求进行表面处理和清洗;(2)采用下述原材料配制Bi4Ti3O12溶胶:钛酸丁酯,冰醋酸,硝酸铋,乙酰丙酮,其配比为:(a)钛酸丁酯(C16H36O4Ti)与硝酸铋(Bi(NO3)3·5H2O)的摩尔比为3.00∶(4.20-4.40);(b)溶剂冰醋酸CH3COOH、乙酰丙酮CH3COCH2COCH3和钛酸丁酯(C16H36O4Ti)的体积百分比分别为10-80%∶10-80%∶10%。(3)配制好的Bi4Ti3O12溶胶滴到衬底上,再进行匀胶,制作湿膜;(4)匀好胶的湿膜进行烘干处理,去除湿膜中的碳、氢成分;(5)将烘干处理过的薄膜进行退火处理;(6)重复上述步骤(3)-(5),根据所需薄膜的厚度确定重复次数,直至获得所需厚度的薄膜;(7)对上述Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜进行退火处理,形成Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜。 |
地址 |
430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |