快闪记忆体的制造方法

摘要

一种快闪记忆体的制造方法，此方法系在基底上依序形成穿遂介电层与导体层，之后图案化此导体层，以形成浮置闸极(floatinggate)，然后于此浮置闸极两侧的基底中形成源极／汲极区。接着，形成一闸间介电层，此闸间介电层之中包含一氧化层，该氧化层系以即时蒸气产生制程(In–situsteamgeneration，ISSG)形成在浮置闸极上。然后于闸间介电层上形成控制闸极(controlgate)。