具有不同程度之圆角之半导体装置之沟槽分隔结构及其制造方法

摘要

在半导体装置的沟槽分隔结构中，在沟槽内形成氧化物衬垫层，其中在各氧化步骤期间采用无法氧化的掩蔽层，藉以产生不同类型的衬垫氧化物，并因而产生不同类型的圆角及机械应力。因此，可针对特定类型的电路元件，而调整对应的分隔沟槽之特性，以便得到最佳的装置性能。