半导体之半导电材料中决定缺陷及不纯浓度之方法及装置

摘要

一半导体晶片带电粒子之寿命系藉由将电传导测量探针接触到半导体晶片之表面以形成电容器来测量。将一具有交流电压叠置于其上的直流电压于第一电压和第二电压之间扫描。在第二电压时，将该测量探针和半导体晶片表面之间的接触点邻近之半导体晶片暴露于光脉冲之下。在光脉冲终止之后，决定该电容器电容随时间之变化，再从如此之电容变化决定半导体晶片带电粒子之寿命。