| 摘要 |
本发明之半导体记忆装置系包含可在1胞内记忆且重写N值资料之多数记忆胞(1)、及以与前述记忆胞相同之记忆方式个别地记忆前述N值资料之各资料值之多数监视胞(6、9)。利用检知手段(12)检知监视胞之物理量是否在预先设定之范围，在范围外时，利用确认手段(16)施行记忆胞之物理量是否为预先设定之范围之确认，利用修正手段(16)修正记忆胞之物理量。此结果，可有效地检知物理量之变动而不致于将过剩之应力施加至记忆胞(1)，且不仅可修正因充电损耗引起之向规定范围之下方之变动，对因充电增益引起之向规定范围之上方之物理量之变动亦可予以修正。 |
