发明名称 | 一种在工作及待命模式可弹性改变频率的DRAM更新结构A DRAM REFRESH SCHEME WITH FLEXIBLE FREQUENCY FOR ACTIVE AND STANDBY MODE | ||
摘要 | 本发明提供一种方法与装置,用以提供动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)更新工作及待命模式中不同的频率。此外,本发明在工作及待命模式中利用不同频率以达到最佳化电力消耗及DRAM资料完整性。该工作模式更新频率比待命模式更新频率高。工作模式更新频率比先前技术的工作模式更新频率高。待命模式更新频率比先前技术的待命模式更新频率低。较高的工作模式更新频率准许因连接被选定之邻接字组线所产生电容放电而降低的储存格资料,以较快的速度还原。较低的待命模式更新频率提供较低的待命模式电力消耗,以补偿由较高工作模式更新频率所造成的高电力消耗。 | ||
申请公布号 | TW200414198 | 申请公布日期 | 2004.08.01 |
申请号 | TW092121748 | 申请日期 | 2003.08.08 |
申请人 | 钰创科技股份有限公司 | 发明人 | 丁达刚;夏濬;刘士晖 |
分类号 | G11C11/403 | 主分类号 | G11C11/403 |
代理机构 | 代理人 | 何文渊 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市科学园区科技五路六号 |