制备一薄层的方法,该方法包含一藉由牺牲氧化及一相关机器以矫正厚度的步骤

摘要

本发明关于一种制备半导体材料之一薄层之方法，该方法包含矫正该层之厚度之一步骤(1050’)，该矫正层之厚度之步骤本身包含下述操作：．取得该层之一测量厚度分布图；．从该测量厚度分布图推断厚度矫正规格；以及．依据该等规格矫正(1053’)该层之厚度；该方法之特征为：厚度矫正实施一种同时处理该层之整个表面，另一方面局部并选择性地顺应该层表面之不同区域中的层厚度之技术；本发明亦关于一种相关机器。