适于以良好覆盖性来形成诸如铂的传导膜之半导体元件及其制造方法

摘要

一种紧密接触层设置于半导体基材上，该紧密接触层系由一种选自由耐火金属、耐火金属合金、耐火金属氮化物、及矽化耐火金属氮化物组成之群组之材料制成。一氧化物表层设置于该紧密接触层表面上，该氧化物表层系由组成紧密接触层之材料氧化物制成。第一传导层系设置于氧化物表层表面上，第一传导层系由铂族金属或含铂族金属之合金制成。当由例如铂族金属制成之传导层形成于紧密接触层上时，可防止覆盖率及形态学的劣化。