利用镶嵌制程之磁性记忆装置及其制造方法

摘要

本发明之磁性记忆装置系具备：第一配线，其系在第一方向上延伸者；第一金属层，其系配置于前述第一配线之上方者；第一磁阻效应元件，其系配置于前述第一金属层上之特定区域中者；第一接点层，其系配置于前述第一磁阻效应元件上者；第二配线，其系在与前述第一方向不同之第二方向上延伸，配置于前述第一接点层上，且具有包覆前述第一接点层之上部的突出部者；及第一绝缘膜，其系埋设于前述第一金属层、前述第一磁阻效应元件、前述第一接点层及前述第二配线之周围，且具有与前述第二配线之表面相同高度之表面者。