于半导体装置中形成双嵌入图案之方法

摘要

本案揭露一种在半导体中形成双嵌入图案之方法。在形成该沟槽之后，一个由通孔区域定义其中的光阻图案系由曝光及显现程序所形成，就此状态而言，一抗蚀剂在双嵌制程中薄薄地涂布，用于在通孔区域形成前先行形成该沟槽。所以，本发明能防止由于沟槽区域光阻图案厚度而降低解析度，且由于良好蚀刻容忍性质，而藉由同时以平滑方式将蚀刻制程与薄光阻图案对齐实行，以改良整个制程的可靠度。