发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 包括第一导电层图案与绝缘罩幕层图案的导线会形成在一个基底上;绝缘间隙壁会形成在这些导线的侧壁,包括一部分第二导电层的自动对准接触窗垫会形成并与绝缘间隙壁的表面接触,并填到导线之间的空隙;在形成接触窗垫的基底上形成一层内层介电层,然后部分蚀刻以形成接触窗开口暴露出接触窗垫;一个选择性的磊晶矽层会形成被接触窗开口暴露出来的接触窗垫上,以覆盖绝缘罩幕层图案;因此在形成于接触窗开口中的下方导线与上方导线之间的短路可以被避免。
申请公布号 TW200414428 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW092128835 申请日期 2003.10.17
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 朴柄俊;金志永
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国