氧化膜形成方法、氧化膜形成装置及电子元件材料

摘要

本发明系于至少含有氧及氢之处理气体存在的状态下，将基于氧及氢之电浆照射于电子元件用底材之表面，于该电子元件用底材之表面形成氧化膜。本发明系提供一种氧化膜形成方法及氧化膜形成装置，其系容易控制氧化膜之膜厚，且赋予良质之氧化膜者；及一种电子元件材料，其系具有此种良质之氧化膜者。