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发明名称
N型半导体钻石制造方法及半导体钻石
摘要
本发明系加工钻石{100}单晶基板10,于形成钻石{111}面后,在钻石{111}面上掺杂n型掺杂物,同时使钻石磊晶生长,而形成n型钻石磊晶层20。此外,藉由组合如上述所获得之n型半导体钻石与p型半导体钻石及未掺杂钻石,并使用p型半导体钻石{100}单晶基板等,可获得pn接合型、pnp接合型、npn接合型及pin接合型之半导体钻石。
申请公布号
TW200414309
申请公布日期
2004.08.01
申请号
TW092116538
申请日期
2003.06.18
申请人
住友电气工业股份有限公司
发明人
难波晓彦;今井贵浩;西林良树
分类号
H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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