半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系提高以低介电常数之SiOC膜构成配线层间膜及通路层间膜之铜镶嵌配线之可靠性。藉由以SiOC膜构成配线层间膜15、23及通路层间膜21之各个，并以SiCN膜A与SiC膜B之层叠膜构成阻挡绝缘膜14、22及封盖绝缘膜20，谋求降低配线层间膜15、23及通路层间膜21之泄漏电流和提高阻挡绝缘膜14、22与封盖绝缘膜20的黏着性。