发明名称 同步半导体记忆装置之输入缓冲电路
摘要 本发明揭示一种输入缓冲电路,其包含一差动放大器型输入缓冲器及一低电流型输入缓冲器之一同步半导体记忆装置。其中差动放大器型输入缓冲器为在一正常模式中操作,而低电流型输入缓冲器则在一自我更新模式中操作,藉此减低在自我更新模式中流经输入缓冲器之电流。按照同步半导体记忆装置之输入缓冲器,在自我更新模式中流经输入缓冲器之电流为甚小,因此可减低同步半导体记忆装置之功率消耗。
申请公布号 TW200414222 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW092121824 申请日期 2003.08.08
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 吴瑞恩;金圭现;郑又燮
分类号 G11C7/10 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国