| 摘要 |
本发明系在具有使用强介质或高介质之电容阻挡膜之半导体装置中，可一面防止电电容阻挡膜因氢而劣化，一面可以缩小单位胞的面积。本发明之半导体装置具备胞选择用电晶体、电容器列及位元线17；该胞选择用电晶体系形成于半导体基板10上；该电容器列系与各电晶体的源极扩散层14B连接，包含各个具有由强介质所形成之电容阻挡膜25之多数电容器27；该位元线17系比该电容器列形成于下方。电容器列系包含上下藉氢阻挡膜覆盖着其周围，该氢阻挡膜包含导电性下部氢阻挡膜21、绝缘性下部氢阻挡膜19及上部氢阻挡膜29；该导电性下部氢阻挡膜21系形成于电晶体与电容器27之间；该绝缘性下部氢阻挡膜19系形成于位元线17及电容器列之间；该上部氢阻挡膜29系形成于电容器列的上侧。 |
