发明名称 半导体记忆装置
摘要 在利用2个DRAM单元构成之双单元(101#)中,在各个双单元(101#)使单元板(130#)电的隔离。藉由此种构成,在同一双单元内之记忆互补资料之2个储存节点(140)之电压,利用电容耦合进行同样之变动。
申请公布号 TW200414194 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW092120069 申请日期 2003.07.23
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 月川靖彦;伊藤孝
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人 赖经臣
主权项
地址 日本
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