形成静电放电保护装置之方法及包含该装置之积体电路装置

摘要

本发明提供一种用以改良ESD性能之简易及具成本效益之方法，利用局部增加施体之掺杂浓度，选择性降低保护装置中之累增崩溃电压。本发明关于一种在半导体基底上形成静电放电(ESD)保护装置以及由该保护装置所保护之内部电路的积体电路装置及方法，其中于该保护装置中形成一补偿电晶体装置，且在该补偿电晶体装置中增加一受体浓度，以便选择性降低该补偿电晶体装置的崩溃电压。于ESD事件中，较低的崩溃电压将导致该保护装置在较低的电压触发，藉此保护较易损坏的正规LDD电晶体。