制造半导体装置之方法

摘要

本发明揭示出一种制造半导体装置的方法。该方法包括的步骤有：在半导体基板上形成闸极，在闸极上沉积出当作隔离层用的氧化物薄膜，对该氧化物薄膜的隔离层进行非等方向性乾蚀刻处理，以便在该闸极的侧壁上形成隔离层，以及在氧气中对该隔离层进行快速热退火处理，以便将包含在隔离层内朝向表面的氢隔离开。因此，包含在隔离层氧化物薄膜内的氢不会扩散到穿隧氧化物薄膜内，并且改善该穿隧氧化物薄膜的薄膜品质。结果，快闪记忆体装置的程式化与清除操作特性以及快闪记忆体装置的保存特性都获得改善。