| 摘要 |
本发明的课题系提供一种半导体装置，其避免不必要的矽化物之形成的同时，可减低接合漏电流。其解决之手段在于，半导体装置，包含元件隔离绝缘膜，其配设于半导体基板之表面，将元件区域隔离。于半导体基板表面内，有将闸极电极之下之区域包夹的方式形成之1对源极／汲极区域。矽化物膜系，配设于源极／汲极区域之表面上，延在至元件隔离绝缘膜上。元件隔离绝缘膜与矽化物膜上，配设有层间绝缘膜。接触孔系，贯通层间绝缘膜达至矽化物膜，一端及另一端分别位于矽化物膜上及元件隔离绝缘膜上。又，接触孔于底部且元件隔离绝缘膜之上部，具有一端与矽化物膜邻接之沟部。配线层配设于接触孔之内部。 |
