在半导体装置以牺牲氧化物形成金属镶嵌闸极之方法

摘要

一种制造半导体装置的方法可能包括形成鳍片结构于绝缘体上，以及形成闸极结构于该鳍片结构的通道部份上。该方法亦可能包括在该闸极结构周围成牺牲氧化层，以及移除该闸极结构，以在该牺牲氧化层内界定闸极凹处。可形成金属闸极于该闸极凹处里，以及移除该牺牲氧化层。