| 主权项 |
1.一种多晶矽薄膜的制造方法,至少包括下列步骤:提供一基底;于该基底上依序形成一绝缘层、一第一非晶矽层与一顶盖层;进行一第一退火制程,以使该第一非晶矽层形成至少具有一孔洞的一第一多晶矽层;移除该顶盖层;移除该孔洞内之部分该绝缘层,以于该绝缘层内形成一第一开口,且该孔洞与该第一开口组成一第二开口;于该第二开口中与该第一多晶矽层表面上形成一第二非晶矽层,其中该第二非晶矽层于该第二开口的位置具有一下凹处;以及进行一第二退火制程,以该第二开口底部未熔融之该第二非晶矽层为晶种,进行结晶成长的步骤以使该第二非晶矽层与该第一多晶矽层形成一第二多晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该顶盖层的材质包括二氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第一退火制程包括进行一准分子雷射制程。4.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中移除该孔洞内之部分该绝缘层的方法包括使用氢氟酸的湿式蚀刻法。5.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第二退火制程包括进行一准分子雷射制程。6.如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第二开口的直径小于1微米。7.一种多晶矽薄膜的制造方法,至少包括下列步骤:提供一基底;于该基底上依序形成一绝缘层、一第一非晶矽层与一顶盖层;进行一第一退火制程,以使该第一非晶矽层形成至少具有一孔洞的一第一多晶矽层;移除该顶盖层;移除该孔洞内之部分该绝缘层,以于该绝缘层内形成一第一开口,且该孔洞与该第一开口组成一第二开口;于该第二开口中与该第一多晶矽层表面上形成一介电层,其中该介电层于该第二开口中具有一下凹处;于该介电层上形成一第二非晶矽层;以及进行一第二退火制程,以该下凹处为晶种,进行结晶成长的步骤以使该第二非晶矽层形成一第二多晶矽层。8.如申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该顶盖层的材质包括二氧化矽。9.如申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第一退火制程包括进行一准分子雷射制程。10.如申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中移除该孔洞内之部分该绝缘层的方法包括使用氢氟酸的湿式蚀刻法。11.如申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第二退火制程包括进行一准分子雷射制程。12.如申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该介电层的材质包括二氧化矽。13.如申请专利范围第7项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第二开口的直径小于1微米。14.一种多晶矽薄膜的制造方法,至少包括下列步骤:提供一基底;于该基底上依序形成一绝缘层、一第一非晶矽层与一顶盖层;进行一第一退火制程,以使该第一非晶矽层形成至少具有一第一孔洞的一第一多晶矽层;移除该顶盖层;移除该第一孔洞内之部分该绝缘层,以于该绝缘层内形成一第一开口,且该第一孔洞与该第一开口组成一第二开口;于该第二开口中与该第一多晶矽层表面上形成一介电层,其中于该第二开口处之该介电层中具有一第二孔洞;于该介电层上形成一第二非晶矽层;以及进行一第二退火制程,其中该第二孔洞上之该第二非晶矽层的温度高于其他部位之该第二非晶矽层的温度,并结晶成长以使该第二非晶矽层形成一第二多晶矽层。15.如申请专利范围第14项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该顶盖层的材质包括二氧化矽。16.如申请专利范围第14项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第一退火制程包括进行一准分子雷射制程。17.如申请专利范围第14项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中移除该孔洞内之该绝缘层的方法包括使用氢氟酸的湿式蚀刻法。18.如申请专利范围第14项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第二退火制程包括进行一准分子雷射制程。19.如申请专利范围第14项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该介电层的材质包括二氧化矽。20.如申请专利范围第14项所述之多晶矽薄膜的制造方法,其中该第二开口的直径小于1微米。图式简单说明:第1A图至第1D图所绘示为习知多晶矽薄膜的制造流程图;第2A图至第2E图所绘示为依照本发明第一实施例之形成多晶矽薄膜的制造方法之制程剖面图。第3A图至第3F图所绘示为依照本发明第二实施例之多晶矽薄膜的制造方法之制程剖面图。第4A图至第4F图所绘示为依照本发明第三实施例之多晶矽薄膜的制造方法之制程剖面图。 |
