发明名称 电镀槽电场调整装置
摘要 一种电镀槽电场调整装置,适用于调整一电镀槽内之电场分布,其于被镀物上电镀过程中形成之电镀层电流值较高之部位,形成多个均匀分布、开孔面积总和较小之贯开穿孔,而于电流值较低之部位形成多个均匀分布、开孔面积总和较大之贯穿开孔,且其开口面积总和之比例为与电镀层上分布之电流值成反比。
申请公布号 TWM240034 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW091201976 申请日期 2002.02.19
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 翁肇甫
分类号 C25D21/12 主分类号 C25D21/12
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种电镀槽电场调整装置,适用于调整一电镀槽内之电场,该电镀槽内具有一阳极电极以及一阴极电极,进行电镀时一晶圆连接于该阴极电极,一电镀金属连接于该阳极电极,该晶圆具有进行电镀之一电镀面,该电镀面为一圆形面,该晶圆于该电镀面上形成一电镀金属层,系包括:一平板,配置于该电镀槽内,位于该电镀金属与该晶圆之间,平行于该晶圆,该平板上具有复数个开孔区域,每一该些开孔区域具有至少一贯穿开孔,该些开孔区域之该贯穿开孔之开口面积大小之比例,为与相对之该电镀金属层上分布之电流値成反比。2.如申请专利范围第1项所述之电镀槽电场调整装置,该平板为不导电之非金属。3.如申请专利范围第1项所述之电镀槽电场调整装置,其中该贯穿开孔之形状包括圆形。4.如申请专利范围第1项所述之电镀槽电场调整装置,其中该贯穿开孔之形状包括矩形。5.如申请专利范围第1项所述之电镀槽电场调整装置,其中该贯穿开孔之形状包括椭圆形。6.一种电镀槽电场调整装置,适用于调整一电镀槽内之电场,该电镀槽内具有一阳极电极以及一阴极电极,进行电镀时一被电镀物连接于该阴极电极,一电镀金属连接于该阳极电极,该被电镀物具有进行电镀之一电镀面,该电镀面为一圆形面,该被电镀物于该电镀面上形成一电镀金属层,系包括:一平板,配置于该电镀槽内,位于该电镀金属与该被电镀物之间,平行于该被电镀物,该平板上具有复数个开孔区域,每一该些开孔区域具有至少一贯穿开孔,该些开孔区域之该贯穿开孔之开口面积大小之比例,为与相对之该电镀金属层上分布之电流値成反比。7.如申请专利范围第6项所述之电镀槽电场调整装置,该平板为不导电之非金属。8.如申请专利范围第6项所述之电镀槽电场调整装置,其中该贯穿开孔之形状包括圆形。9.如申请专利范围第6项所述之电镀槽电场调整装置,其中该贯穿开孔之形状包括矩形。10.如申请专利范围第6项所述之电镀槽电场调整装置,其中该贯穿开孔之形状包括椭圆形。11.一种电镀装置,包括:一电镀槽;一电镀液,容纳于该电镀槽内;一电源;一阳极电极,连接于该电源;一阴极电极,连接于该电源;一被电镀物,连接于该阳极电极,浸于该电镀液中,该被电镀物具有进行电镀之一电镀面,该被电镀物于该电镀面上形成一电镀金属层;一电镀金属,连接于该阴极电极,浸于该电镀液中;以及一平板,配置于该电镀槽内,位于该电镀金属与该被电镀物之间,平行于该被电镀物,该平板上具有复数个贯穿开孔,该些贯穿开孔均匀分布于该平板上,每一该些贯穿开孔之开口面积大小之比例,为与相对之该电镀金属层上分布之电流値成反比。12.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,该平板为不导电之非金属。13.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,该被电镀物包括印刷电路板。14.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,该被电镀物包括晶圆。15.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,该电镀面呈圆形。16.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,该电镀面呈矩形。17.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,该电镀面呈任意多边形。18.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,更包括一搅拌棒,配置于该平板与该被镀物之间,浸于该电镀液中,适于进行电镀时搅拌该电镀液。19.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,其中该贯穿开孔之形状包括圆形。20.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,其中该贯穿开孔之形状包括矩形。21.如申请专利范围第11项所述之电镀装置,其中该贯穿开孔之形状包括椭圆形。图式简单说明:第1图绘示习知电镀槽之示意图;第2图绘示习知晶圆电镀时之磁场等位线分布示意图;第3a图绘示习知晶圆电镀时于电镀槽内加入一调整板之示意图;第3b图绘示习知晶圆电镀时于电镀槽内加入一调整板之侧剖面示意图;第4图绘示习知晶圆电镀时于电镀槽内加入一调整板后之磁场等位线分布示意图;第5图绘示习知调整板之正面示意图;第6图绘示本创作电镀槽之侧剖面示意图;第7图绘示本创作调整板之正面示意图。
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