| 摘要 |
本发明系关于一种非挥发性半导体记忆装置；也就是说，因为改变进行对于记忆体晶片之写入等之控制之控制部之中的构造，所以，需要进行大幅度之设计变更，必须在各个快闪记忆体之每一个，进行设计变更。本发明之非挥发性半导体记忆装置，系在由记忆体区块(12)和在前述记忆体区块来进行删除等之控制器(11)所构成之快闪记忆体，在输入删除指令至某个记忆体区块时而输出删除之不良稳态之际，则冗余判定电路(14)系将此时之位址和作为对于该位址之冗余位址之冗余用区块(12c)内之位址，记忆在冗余位址记忆装置(15)。以后，在存取前述位址时，该位址系藉由将其取代成为冗余位址记忆装置(15)所记忆之冗余位址而将不良之记忆体区块，代替成为冗余用区块。 |
