发明名称 薄膜电晶体之制造方法
摘要 本发明系提供一种薄膜电晶体之制造方法,此种方法包括下列步骤:在基板上形成汲极及源极金属层;在汲极及源极金属层上覆上一层氧化矽层;在氧化矽层上执行高温制程;在氧化矽层上覆上一层氮化矽层;结合氮化矽与氧化矽层以形成ILD层;以及对ILD层执行氢化制程;藉由上述步骤可达成离子活化之效果,并使得元件得到充份之氢原子修补,进而改善元件之特性表现与稳定。
申请公布号 TW200414322 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW092101698 申请日期 2003.01.27
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 陈坤宏;叶光兆
分类号 H01L21/28;H01L29/786 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 罗炳荣
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号