发明名称 | 薄膜电晶体之制造方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种薄膜电晶体之制造方法,此种方法包括下列步骤:在基板上形成汲极及源极金属层;在汲极及源极金属层上覆上一层氧化矽层;在氧化矽层上执行高温制程;在氧化矽层上覆上一层氮化矽层;结合氮化矽与氧化矽层以形成ILD层;以及对ILD层执行氢化制程;藉由上述步骤可达成离子活化之效果,并使得元件得到充份之氢原子修补,进而改善元件之特性表现与稳定。 | ||
申请公布号 | TW200414322 | 申请公布日期 | 2004.08.01 |
申请号 | TW092101698 | 申请日期 | 2003.01.27 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 陈坤宏;叶光兆 |
分类号 | H01L21/28;H01L29/786 | 主分类号 | H01L21/28 |
代理机构 | 代理人 | 罗炳荣 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号 |