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经营范围
发明名称
薄膜形成方法及其装置
摘要
本发明系形成多个使第一直线状导体及第二直线状导体的各第一端之天线元件相互电气连接。使第一直线状导体及第二直线状导体相互交错,并以相等间隔并排地并列前述多个天线元件于平面上,且藉由设置于成膜室内,形成一个以上的阵列天线。连接前述各第一直线状导体的第二端于高频电源上,并使前述各第二直线状导体的第二端接地。在前述阵列天线的两侧上,利用与前述间隔相同程度的间距各自平行设置多块基板。导入原料气体于前述成膜室内,进行成膜。
申请公布号
TW200413563
申请公布日期
2004.08.01
申请号
TW092127496
申请日期
2003.10.03
申请人
石川岛播磨重工业股份有限公司
发明人
上田仁;高木朋子;伊藤宪和
分类号
C23C16/509;H01L21/205
主分类号
C23C16/509
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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