形成接触窗的方法

摘要

本发明揭示一种接触窗(contact／via)的制造方法。首先提供一基底，在上述基底上依序形成具有不同蚀刻速率之第一介电层、第二介电层及第三介电层。接着，在上述第三介电层上，形成一图案化之罩幕层。以一蚀刻程序去除未被该罩幕层所覆盖之部分的第一介电层、第二介电层及第三介电层，直至裸露出该基底，以形成一接触窗开口。本发明之目的在于提供一个较佳之接触窗开口(contact／viahole)结构，增加次层金属层的覆盖(coverage)能力，以减少元件断线或是阻抗的增加。