洗净剂组成物,半导体晶圆之洗净方法,制造方法及半导体晶圆

摘要

本发明系提供一种对半导体晶圆等的表面污染具优良的洗净力，且可充分控制对晶圆的蚀刻之洗净剂组成物、半导体晶圆之洗净方法以及制造方法，以及提供附着于晶圆表面的粒子极少且表面粗糙度极小之半导体晶圆。包含以下记一般式(1)R^1O(EO)x(PO)yH(1)(式(1)中，R^1表示碳数6～20的直链状或分枝状的烷基，或者碳数6～20的直链状或分枝状的烯基。EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基。x与y分别表示独立之1～20的整数，且x／(x＋y)的值在0.5以上。)表示之非离子界面活性剂以及第4级铵氢氧化物之洗净剂组成物，使用该组成物之半导体晶圆之洗净方法、制造方法以及半导体晶圆。