一种于低压下选择性形成薄膜的半导体制程方法

摘要

本发明系提供一种于半导体晶片表面选择性形成高品质之二氧化矽薄膜的制程方法。该半导体晶片表面被定义有一记忆单元区以及一周边电路区，而该周边电路区中包含有至少一多晶矽化金属层，且该多晶矽化金属层系由一多晶矽层以及一金属矽化层上下堆叠而成。该方法系包含以湿式低压氧化将该半导体晶片置于一压力小于20Torr的压力舱中，并通入一氢气／氧气混合气体。其中晶片温度为800～1150℃，氢气流量比率(％H2ofTGF)为1～33％，氢气以及氧气之总气体流量(TGF)为8～16SLM，即可在5～45秒钟内于该多晶矽层表面上形成一厚度约为30～90埃之二氧化矽层，而不氧化该金属矽化层。092102066p01.bmp