发明名称 对准标记之重现方法
摘要 一种对准标记(AlignmentMark)之重现方法,其系在金属层–绝缘层–金属层(Metal–Insulator–Metal;MIM)电容结构制程中,利用聚焦离子束(FocusedIonBeam;FIB)移除覆盖在对准标记上之金属层与绝缘层。因此,可降低重现对准标记之成本、时间、与人力资源。
申请公布号 TW200414487 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW092102123 申请日期 2003.01.30
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈炳旭;庄平;柯俊成;周梅生;罗冠腾
分类号 H01L23/544;H01L21/3065 主分类号 H01L23/544
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹科学工业园区新竹县园区三路一二一号