快闪记忆胞结构及其操作方法

摘要

一种快闪记忆胞结构，包括一基底、一选择闸极、一第一型离子掺杂区、一第二型离子浅掺杂区、一第二型离子深掺杂区以及一源极掺杂区。其中，基底具有一堆叠式闸极(stackedgate)；选择闸极形成于基底上并位于堆叠式闸极之一侧；第一型离子掺杂区系位于基底中并与选择闸极邻设，以作为快闪记忆胞结构之汲极；第二型离子浅掺杂区系位于堆叠式闸极下方并与第一型离子掺杂区连接；第二型离子深掺杂区系位于第一型离子掺杂区周围，并与第二型离子浅掺杂区连接；而源极掺杂区系邻设于第二型离子浅掺杂区一侧以作为快闪记忆胞结构之源极。另外，本发明亦揭露一种上述快闪记忆胞结构之操作方法。