| 摘要 |
一种用以制造一个自我对准交叉点记忆体阵列之方法包括下列步骤：准备一块基板，其中包括形成任何支援电子结构；在该基板上形成一p^–井区；植入离子以形成一深N^＋区域；在N^＋区域上方植入离子以形成一浅P^＋区域，形成一P^＋／N接合点；在P^＋区域上沉积一阻障金属层；在该阻障金属层上沉积形成一底部电极层；在底部电极层上沉积一牺牲层或矽氮层，设计所需要的图样，并对以上形成的结构进行蚀刻处理，分别蚀除该牺牲层，底部电极层，该阻障层，该P^＋区域以及该N^＋区域之一部分，以形成一沟渠；以沉积方式将氧化物填入该沟渠；再图样化其对该牺牲层进行蚀刻处理；沉积形成一PCMO层，自我对准该底部电极层之其余部分；以沉积法形成一顶部电极层；图样化并对该顶部电极层进行蚀刻处理；并完成记忆体阵列之结构。 |
