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发明名称 EFFECTIVE RETARDATION OF FLUORINE RADICAL ATTACK ON METAL LINES VIA USE OF SILICON RICH OXIDE SPACERS
摘要
申请公布号 SG104940(A1) 申请公布日期 2004.07.30
申请号 SG20010004989 申请日期 2001.08.15
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, LTD. 发明人 CHER LIANG CHA, RANDALL;TAE JONG, LEE
分类号 H01L21/4763;H01L21/768 主分类号 H01L21/4763
代理机构 代理人
主权项
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