| 发明名称 |
An improved method for making high-density nonvolatile memory |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003296988(A8) |
申请公布日期 |
2004.07.29 |
| 申请号 |
AU20030296988 |
申请日期 |
2003.12.12 |
| 申请人 |
MATRIX SEMICONDUCTOR, INC |
发明人 |
MAITREYEE MAHAJANI;S. BRAD HERNER;MICHAEL A. VYVODA |
| 分类号 |
G11C;G11C5/02;H01L21/00;H01L21/331;H01L21/82;H01L21/8238;H01L23/48;H01L27/102;H01L27/148;H01L29/94;H01L31/0392;H01L31/119;(IPC1-7):H01L21/00 |
主分类号 |
G11C |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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