发明名称 |
位线的形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种位线的形成方法,首先,提供一半导体基底,半导体基底上具有一晶体管,晶体管具有一闸极及一源汲极区;在半导体基底上形成一第一介电层,第一介电层具有一第一开口,第一开口露出源汲极区表面;在第一开口形成一导电层;在第一介电层及导电层表面上形成一阻障层;在阻障层上形成一第二介电层,第二介电层具有一第二开口及一第三开口,第二开口形成于对应第一开口的阻障层上;及在第二开口及第三开口形成一金属层,用以作为一位线。 |
申请公布号 |
CN1516263A |
申请公布日期 |
2004.07.28 |
申请号 |
CN03100320.6 |
申请日期 |
2003.01.09 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
吴国坚;黄则尧;陈逸男 |
分类号 |
H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3205 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李强 |
主权项 |
1.一种位线的形成方法,其特征在于包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上具有一晶体管,该晶体管具有一闸极及一源汲极区;在该半导体基底上形成一第一介电层,该第一介电层具有一第一开口,该第一开口露出该源汲极区表面;在该第一开口形成一导电层;在该第一介电层及该导电层表面上形成一阻障层;在该阻障层上形成一第二介电层,该第二介电层具有一第二开口及一第三开口,该第二开口形成于对应该第一开口的该阻障层上;及在该第二开口及该第三开口形成一金属层,用以作为一位线。 |
地址 |
台湾省桃园县 |