| 主权项 |
1.一种氮化镓基LED垂直组件结构的制造方法，可包含以下的步骤：(a)成长一缓冲层的步骤，系在蓝宝石(sapphire)基板上形成一缓冲层；(b)形成数道光罩的步骤，接续步骤(a)，在缓冲层上形成数道光罩，以预先制成一基板单元；(c)成长多层磊晶结构的步骤，接续步骤(b)，在基板单元上接续磊晶沉积一具有活性层的多层磊晶结构；(d)取出多层磊晶结构的步骤，接续步骤(c)，将基板单元与多层磊晶结构置于治具中，且多层磊晶结构的上表面黏固于治具的上固定板，基板的下表面黏固于治具的下固定板，当两固定板对基板单元与多层磊晶结构施力作用时，基板单元可因子道光罩所形成的结构脆弱点而被顺利剥离，并单独取出多层磊晶结构；(e)设置金属反射层的步骤，接续步骤(d)，清除多层磊晶结构底部所残余的光罩，并将多层磊晶结构的底部研磨呈镜面，以镀上一金属反射层；(f)设置导电基板的步骤，接续步骤(e)，将导电基板与金属反射层加热加压，使导电基板与金属反射层相黏合，而固设导电基板；(g)设置P/N电极的步骤，接续步骤(f)，分离治具后，多层磊晶结构的上表面可设置P型电极，且导电基板的底部可设置N型电极；藉此，以构成一氮化镓基(GaN-based)LED的垂直组件结构。 |
