发明名称 | 形成穿透电极的方法以及具有穿透电极的基片 | ||
摘要 | 一种形成穿透电极的方法,其中导电物质被置入一微孔中,该微孔只有一端被由导电物质形成的布线和垫片封住,而布线和垫片没有破损。在形成穿透电极的方法中,导电物质被置入微孔中,所述微孔穿透基片且一个开口被导电薄膜封住。在支撑导电薄膜的保护元件在基片的导电薄膜侧的表面上配置之后,导电物质从微孔的另一开口置入。 | ||
申请公布号 | CN1516241A | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
申请号 | CN200310121267.8 | 申请日期 | 2003.12.17 |
申请人 | 株式会社藤仓 | 发明人 | 山本敏;滝沢功 |
分类号 | H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/28 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1、一种形成穿透电极的方法,包括:在基片上至少穿透电极形成位置的部分所对应的基片的第一表面上配置一层导电薄膜;在至少所述导电薄膜上形成一个保护元件;将所述保护元件与所述基片相联结;穿透所述基片形成一个微孔;以及在配置导电薄膜,形成所述保护元件并将其联结,并形成所述微孔之后,将所述导电物质置入所述微孔中,所述导电物质和导电薄膜形成一个穿过所述基片的导电通道,所述导电薄膜封住基片第一表面上的微孔的第一开口,且所述导电物质通过和第一表面相对的基片的第二表面上的微孔的第二开口置入所述微孔。 | ||
地址 | 日本东京都 |