制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

摘要

一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：提供一至少包括一衬底晶片；形成一渠沟于衬底内；形成一栅极于渠沟的底部；形成一间隙壁于栅极的两侧并填满渠沟；植入离子于间隙壁两侧的衬底内；进行第一快速加热制程以在衬底内形成一源极/漏极区域与一源极/漏极延伸区域；形成一金属层于栅极、间隙壁与源极/漏极区域；进行第二快速加热制程以在栅极与源极/漏极区域上形成一金属硅化物层；及移除金属层。本发明将金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与间隙壁制作在一预先形成在衬底内的渠沟内，以降低源极/漏极的接合深度，并降低漏极电压导致源极与通道间电位能下降与贯穿漏电流的效应，避免在后续制程中发生针型漏电流的缺陷。

主权项

1.一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，其特征在于，所述方法至少包括：提供一晶片，所述晶片至少包括一衬底；形成一渠沟于所述衬底内；形成一栅极于所述渠沟的一底部；形成一间隙壁于所述栅极的两侧并填满所述渠沟；植入一离子于所述间隙壁两侧的所述衬底内；进行一第一快速加热制程以在所述衬底内形成一源极/漏极区域与一源极/漏极延伸区域；形成一金属层于所述栅极、所述间隙壁与所述源极/漏极区域；进行一第二快速加热制程以在所述栅极与所述源极/漏极区域上形成一金属硅化物层；及移除所述金属层。