具有高介电常数介质层的半导体器件电容器的制造方法

摘要

制造半导体器件电容器的方法，其中在半导体衬底上相继制备有存储电极，高介质层，平板电极和中间介质层，该方法的步骤为：淀积高介质层，制备平板电极或中间介质层后对半导体衬底在第一温度惰性气氛下后退火，然后对半导体衬底在第二温度下后退火，或者制备高介质层后对半导体衬底在第一温度下后退火，然后制备平板电极后在第二温度下后退火。第一温度为600～900℃，第二温度为100～600℃。因此增加了高介质层的介电常数，降低了漏电流。

主权项

1.制造半导体器件电容器的方法，其中在半导体衬底上相继制备有存储电极，具有钙钛矿结构的高介质层，平板电极和中间介质层，该方法包括以下步骤：在制备从高介质层，平板电极和中间介质层组成的组中的一种后，对半导体衬底在第一温度惰性气氛下后退火；以及对在第一温度下后退火的半导体衬底在低于第一温度的第二温度下后退火。