发明名称 | 场致发射器件及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明的目的是提供根据能够提高生产率的工艺利用廉价的大尺寸基板来形成场致发射显示装置的场致发射器件的技术。根据本发明的场致发射器件包括阴极电极和凸起的电子发射部分,该阴极电极形成在基板的绝缘表面上,该凸起的电子发射部分形成在阴极电极的表面处,并且该阴极电极和电子发射部分包括相同的半导体薄膜。该电子发射部分具有圆锥形状或晶须形状。 | ||
申请公布号 | CN1516211A | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
申请号 | CN200310114800.8 | 申请日期 | 2003.12.26 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大沼英人;根本幸惠 |
分类号 | H01J1/304;H01J29/04;H01J9/02 | 主分类号 | H01J1/304 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;王勇 |
主权项 | 1.一种场致发射器件,包括:形成在基板的绝缘表面上的阴极电极;和形成在阴极电极的表面处的凸起的电子发射部分,其中阴极电极和电子发射部分包括相同的结晶半导体薄膜,和其中电子发射部分包括金属元素。 | ||
地址 | 日本神奈川县厚木市 |