闪存的制造方法

摘要

一种闪存的制造方法，此方法于基底上依序形成衬层与罩幕层后，图案化罩幕层以形成开口，并移除开口所暴露的衬层。于开口底部形成穿隧介电层后，于开口的侧壁形成顶部低于罩幕层表面的浮置栅极。于基底中形成源极区后，于开口内形成栅间介电层并形成填满开口的控制栅极。移除罩幕层后，于基底上形成栅介电层并分别于浮置栅极、控制栅极的侧壁形成间隙壁。于浮置栅极与控制栅极的侧壁形成选择栅极后，于选择栅极一侧的基底中形成漏极区。

主权项

1、一种闪存的制造方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：提供一基底，该基底已形成一隔离结构，该隔离结构定义出一主动区；于该基底的该主动区上形成一衬层；于该基底上形成一罩幕层；于图案化该罩幕层以形成一开口；移除该开口所暴露的该衬层；于该开口底部形成一穿隧介电层；于该开口的侧壁形成一浮置栅极，且该浮置栅极的顶部低于该罩幕层表面；以该浮置栅极为罩幕，于该开口底部的该基底中形成一源极区；于该开口内形成一栅间介电层；于该基底上形成填满该开口的一控制栅极；移除该罩幕层；于该基底上形成一栅介电层并于该浮置栅极、该控制栅极的侧壁形成一间隙壁；于该浮置栅极与该控制栅极的侧壁形成一选择栅极；以及于该选择栅极一侧的该基底中形成一漏极区。