| 发明名称 | 金属膜内晶粒生长控制方法 | ||
| 摘要 | 一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中，该金属膜是沉积在底物上，形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70－100℃的范围内被加热至少5分钟，其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中，在沉积步骤之后，将此电镀膜储存于温度不超过－20℃的条件下，其中在整个储存期中，此微细晶粒微结构稳定，而晶粒未长大。 | ||
| 申请公布号 | CN1516243A | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
| 申请号 | CN200310123560.8 | 申请日期 | 1999.06.09 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | P·W·德哈文;C·C·高德史密斯;J·L·赫特;S·卡杰;M·S·勒格雷;F·D·佩费托 |
| 分类号 | H01L21/288;H01L21/445;H01L21/324;H01L21/477;C22F1/08 | 主分类号 | H01L21/288 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;段晓玲 |
| 主权项 | 1、一种控制沉积在底物上薄金属膜的微结构中晶粒长大的方法，该方法包括步骤：(a)、在底物上沉积一种金属膜，形成一种具有微细晶粒的微结构的薄膜，和(b)、在不超过-20℃温度的条件下将此金属膜冷冻，其中使微细晶粒的微结构稳定，而在整个存储期间晶粒不长大。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||