半导体存储器件

摘要

本发明提供一种半导体存储器件，即便存储单元和充电用晶体管的电流能力变小、且位线容量增加，也可进行高速读出。在读出放大器中，除充电用P型MOS晶体管外，在达到对存储单元的数据进行判定的电路中所包含的判定用反相器的转换电平之前，作为对所选择的位线充电的电路，设置P型MOS晶体管与N型MOS晶体管，通过高速地对位线充电，缩短读出时间。

主权项

1、一种半导体存储器件，具备：将存储单元配置成矩阵状构成的存储单元阵列；对行方向存储单元的栅极端子进行共用连接的多条字线；对列方向存储单元的漏极端子进行共用连接的多条位线；对所述存储单元的数据进行判定的判定电路；选择地连接所述位线与所述判定电路的列选择电路；对由所述列选择电路选择的位线与所述判定电路的输入端子进行充电的充电电路；以及对所述充电电路进行控制的充电信号发生电路，其特征在于：所述充电电路具备：第1充电用子电路，当所述充电信号发生电路的输出信号为激活状态时动作；以及第2充电用子电路，在所述充电信号发生电路的输出信号为激活状态、且选择的位线的电压小于预定电压时动作。