发明名称 |
半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带 |
摘要 |
一种用薄膜载带制造,封装尺寸接近芯片尺寸的半导体器件,且与半导体芯片的电极之间的连接部分不露出来的半导体器件及其制造方法。具有形成于模塑材料36的填充区域之内并接合到半导体芯片40的电极42和焊盘部分22上的连接引线24,连接到连接引线24上的电镀引线26,电镀引线26所连接的电镀电极28,且在全体都已变成为导通状态下施行电镀,直到使连接部分29进入模塑材料的填充区域内为止对连接部分29进行冲切,使连接引线24和电极42接合,填充模塑材料36。从孔32中露出来的连接引线24的端面也被模塑材料36覆盖而不露出来。 |
申请公布号 |
CN1516250A |
申请公布日期 |
2004.07.28 |
申请号 |
CN03119817.1 |
申请日期 |
1997.09.29 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
桥元伸晃 |
分类号 |
H01L21/48;H01L21/60;H01R43/00 |
主分类号 |
H01L21/48 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种薄膜载带的制造方法,在薄膜上形成导通图形,该导通图形使所具有的在要密封的预定的区域内形成并将接合到半导体芯片的电极和外部电极上的多个连接引线,连接到该连接引线上并一直形成到上述密封区域之外的至少一个电镀引线和该电镀引线所连接的电镀电极等全部都变成导通状态。 |
地址 |
日本东京都 |