发明名称 |
抛光方法和设备 |
摘要 |
本发明涉及一种抛光方法及适用于此抛光方法的抛光设备,该方法利用包括磨料颗粒和粘合磨料颗粒的粘合树脂的磨石。利用粘合磨料颗粒的树脂,可以获得具有所需弹性模量的磨石。用此磨石,可以使有凹凸部分的衬底表面变平坦均匀,但与这些凹凸部分的尺寸无关。另外,首先用小弹性模量的抛光工具抛光衬底表面,然后用大弹性模量的抛光工具进行抛光,可以获得损伤减少的抛光表面。本发明的方法可以有效地平面化具有凹凸部分的各种衬底。 |
申请公布号 |
CN1516247A |
申请公布日期 |
2004.07.28 |
申请号 |
CN03149104.9 |
申请日期 |
1995.09.13 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
森山茂夫;山口克彦;本間喜夫;松原直;石田吉弘;河合亮成 |
分类号 |
H01L21/304;B24B1/00 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
朱德强 |
主权项 |
1.一种半导体器件制造方法,用于通过对一形成在一半导体衬底的一表面上的薄膜进行抛光来平面化该半导体衬底的该表面,该半导体衬底在其一主表面上具有凹凸图形,包括下列步骤:将带有形成在其上的该薄膜的该半导体衬底的该表面压靠到一抛光工具的一表面;以及通过在该半导体衬底的该表面与该抛光工具的该表面之间的相对运动平面化在该半导体衬底上的凹凸图形;其中,该抛光工具是磨石,该磨石包括磨料颗粒和一用于粘合和固定该磨料颗粒的材料,该磨石的弹性模量为5-500kg/mm2。 |
地址 |
日本东京 |