发明名称 高强度氮化硅多孔体及其制造方法
摘要 本发明提供一种在保持高气孔率的同时还可提高强度、轻量的可作为结构构件使用的氮化硅多孔体。它是一种含有柱状氮化硅粒子和,相对于氮化硅按氧化物换算为2~15重量%的作为氧化物结合相的至少1种稀土元素,SiO<SUB>2</SUB>和稀土氧化物的重量比SiO<SUB>2</SUB>/(SiO<SUB>2</SUB>+稀土类氧化物)为0.012~0.65、平均细孔径为3.5μm以下,高气孔率且高强度的氮化硅多孔体。重量比SiO<SUB>2</SUB>/(SiO<SUB>2</SUB>+稀土类氧化物)通过控制成形体中的氧量和碳量进行调整。
申请公布号 CN1159264C 申请公布日期 2004.07.28
申请号 CN97102107.4 申请日期 1997.01.07
申请人 住友电气工业株式会社 发明人 河合千寻;松浦贵宏;山川晃
分类号 C04B35/584 主分类号 C04B35/584
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 全菁
主权项 1.高强度氮化硅多孔体,其特征在于,由柱状氮化硅粒子和氧化 物系结合相组成,具有由这些柱状氮化硅粒子和氧化物系结合相构成 的三维网络结构;氧化物系结合相含有相对于氮化硅按氧化物换算为 2~15重量%的至少1种稀土类元素;SiO<sub>2</sub>和稀土类氧化物的重量比 SiO<sub>2</sub>/(SiO<sub>2</sub>+稀土类氧化物)为0.012~0.65,平均细孔径为3μm以 下,以体积%计的气孔率x和以MPa记的3点弯曲强度y满足下式 所示关系: -14.4x+1300≥y≥-8.1x+610,但50≥x≥30; -14.4x+1300≥y≥-6.5x+530,但68≥x≥50。
地址 日本大阪